| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PQFN-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 5 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0011 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 156 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 6419 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 259A |
| 上升时间 | 51 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6419pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 156 W |
| 下降时间 | 49 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 156W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 0.85 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 的
●StrongIRFE
● 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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StrongIRFET™ 功率 MOSFET，InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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