| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 167 W |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.50 A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1417pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 167 W |
| 下降时间 | 18 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 167 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
9 页 / 0.19 MByte
VISHAY（威世）
9 页 / 0.29 MByte
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 650V ， RDS（ON）最大值= 0.93ohm ，ID = 8.5A ） Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
