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IXFN80N50Q2
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IXFN80N50Q2 技术参数、封装参数

IXFN80N50Q2 外形尺寸、物理参数、其它

IXFN80N50Q2 数据手册

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IXFN80N50 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN80N50  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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Littelfuse(力特)
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