| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 1.80 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 6.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 54 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.80 A |
| 上升时间 | 17 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 530pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 54 W |
| 下降时间 | 27 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 54 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 6.5ohm ，ID = 1.8A ） Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFBE20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
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