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IRFBC20SPBF
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IRFBC20SPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFBC20SPBF 数据手册 (11 页)
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IRFBC20SPBF 数据手册 (11 页)
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IRFBC20SPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率50 W
漏源极电阻4.4 Ω
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)2.20 A
上升时间23 ns
输入电容值(Ciss)350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3.1 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3100 mW
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IRFBC20SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量2000
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IRFBC20SPBF 数据手册

IRFBC20SPBF 数据手册
VISHAY（威世）
11 页 / 0.41 MByte
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