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IRFD123PBF
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IRFD123PBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:DIP-4
PDF文件:IRFD123PBF 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IRFD123PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装DIP-4
漏源极电阻270 mΩ
功耗1000 mW
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)360pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.3 W
下降时间8.9 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)1.3W (Ta)
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IRFD123PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRFD123PBF 数据手册

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