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IRFD210
来自 AiPCBA

IRFD210 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:HVMDIP-4
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFD210 数据手册 (10 页)
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IRFD210 数据手册 (10 页)
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IRFD210 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数4 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流600 mA
封装HVMDIP-4
极性N-Channel
功耗1.30 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200V (min)
连续漏极电流(Ids)600 mA
上升时间17.0 ns
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IRFD210 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度6.29 mm
宽度5 mm
高度3.37 mm
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IRFD210 数据手册

IRFD210 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 1.66 MByte
IRFD210 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 1.66 MByte
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