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IRFD123PBF
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IRFD123PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:HVMDIP-4
描述:VISHAY  IRFD123PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1.3A
PDF文件:IRFD123PBF 数据手册 (10 页)
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IRFD123PBF 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装HVMDIP-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.27 Ω
极性N-Channel
功耗1.3 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)1.30 A
工作温度(Max)175 ℃
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IRFD123PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
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IRFD123PBF 数据手册

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