类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | DIP-4 |
功耗 | 1300 mW |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
上升时间 | 29 ns |
输入电容值(Ciss) | 390pF @25V(Vds) |
下降时间 | 25 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.3W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.29 mm |
宽度 | 5 mm |
高度 | 3.37 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 P 通道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
Vishay Siliconix
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International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
1.0A , 100V , 0.6欧姆,P沟道功率MOSFET 1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFD9120PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
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