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IRFI1310N
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IRFI1310N 数据手册 (9 页)
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IRFI1310N 技术参数、封装参数

IRFI1310N 外形尺寸、物理参数、其它

IRFI1310N 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 1.8 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
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IRFI1310 数据手册

Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.036ohm ,ID = 24A ) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=24A)
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