| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 22.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 45.0 W |
| 零部件系列 | IRFI1310N |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 24.0 A |
| 上升时间 | 56.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
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Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.036ohm ，ID = 24A ） Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=24A)
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