类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 46 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0122 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 46 W |
阈值电压 | 5 V |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
连续漏极电流(Ids) | 34A |
上升时间 | 29 ns |
输入电容值(Ciss) | 4440pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 46 W |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 46W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.63 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 16.12 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFI4321PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 150 V, 0.0122 ohm, 10 V, 5 V 新
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件