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US6J2TR
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US6J2TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-363-6
描述:20V,1A,双P沟道MOSFET
PDF文件:US6J2TR 数据手册 (4 页)
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US6J2TR 数据手册 (4 页)
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US6J2TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-1.00 A
封装SOT-363-6
漏源极电阻0.57 Ω
极性P-Channel
功耗1 W
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)1.00 A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)150pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1 W
下降时间10 ns
耗散功率(Max)1 W
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US6J2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not For New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2 mm
宽度1.7 mm
高度0.77 mm
工作温度150℃ (TJ)
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US6J2TR 数据手册

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