| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 35000 mW |
| 上升时间 | 33 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 35W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 800 V 2.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
Vishay Siliconix
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = 2.1A ） Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFIBE30GPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
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