| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 900 V |
| 额定电流 | 1.20 A |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.20 A |
| 上升时间 | 21.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFIBF20GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 900V ， RDS（ON） = 8.0ohm ，ID = 1.2A ） Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
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