| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 30 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.20 A |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFIBF20GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 900V ， RDS（ON） = 8.0ohm ，ID = 1.2A ） Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
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