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IRFIBF30G
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IRFIBF30G 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:TO-220
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:IRFIBF30G 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IRFIBF30G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
极性N-CH
功耗35 W
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)1.9A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)35 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)35000 mW
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IRFIBF30G 数据手册

IRFIBF30G 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 1.44 MByte

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