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TSAL7200
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TSAL7200 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:T-1
描述:高功率红外发光二极管， 940纳米，砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs
PDF文件:TSAL7200 数据手册 (6 页)
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TSAL7200 数据手册 (6 页)
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TSAL7200 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
封装T-1
正向电压1.35 V
波长940 nm
视角17°
峰值波长940 nm
功耗160 mW
上升时间800 ns
测试电流100 mA
正向电流100 mA
正向电压(Max)1.35 V
正向电流(Max)100 mA
下降时间800 ns
工作温度(Max)85 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)160 mW
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TSAL7200 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Bulk
高度8.7 mm
工作温度-40℃ ~ 85℃ (TA)
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TSAL7200 数据手册

TSAL7200 数据手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.12 MByte
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