类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
额定功率 | 2.8 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0462 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.8 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.1A |
上升时间 | 21 ns |
输入电容值(Ciss) | 340pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
下降时间 | 23 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.7 mm |
宽度 | 3.7 mm |
高度 | 1.8 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,55V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.075ohm ,ID = 2.8A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A)
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INFINEON IRFL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。
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INFINEON IRFL024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IRFL024ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.0462 ohm, 10 V, 4 V
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