类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
额定功率 | 2.1 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 0.2 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 2.1 W |
阈值电压 | 2 V |
输入电容 | 330pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.2A |
上升时间 | 18 ns |
输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 6.7 mm |
宽度 | 3.7 mm |
高度 | 1.7 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFL4310TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL4310PBF 场效应管, MOSFET, N
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IRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力
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