IRLR7843PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	INFINEON IRLR7843PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
PDF文件:	IRLR7843PBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页 10 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IRLR7843PBF 数据手册 (11 页)

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IRLR7843PBF 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
额定功率	140 W
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.0033 Ω
极性	N-Channel
功耗	140 W
阈值电压	2.3 V
输入电容	4380pF @15V
漏源极电压(Vds)	30 V
漏源击穿电压	30 V
连续漏极电流(Ids)	161A
上升时间	42 ns
输入电容值(Ciss)	4380pF @15V(Vds)
额定功率(Max)	140 W
下降时间	19 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	140W (Tc)

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IRLR7843PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.39 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLR7843PBF 符合标准

IRLR7843PBF 概述

IRLR7843PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.35 MByte

IRLR7843PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLR7843PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRLR7843PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLR7843PBF 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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