| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 81.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 漏源极电阻 | 0.012 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 170 W |
| 零部件系列 | IRFP054N |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 2900pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 81.0 A |
| 上升时间 | 66.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2900pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 170 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 高度 | 20.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
9 页 / 1.45 MByte
International Rectifier（国际整流器）
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.014ohm ，ID = 70 * A） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
