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IRFP250
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IRFP250 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
PDF文件:IRFP250 数据手册 (8 页)原理图在1 页
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IRFP250 数据手册 (8 页)
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IRFP250 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)200 V
额定电流33.0 A
封装TO-247-3
漏源极电阻85.0 mΩ
极性N-Channel
功耗180W (Tc)
输入电容2.60 nF
栅电荷120 nC
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)33.0 A
输入电容值(Ciss)2850pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)180W (Tc)
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IRFP250 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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IRFP250 数据手册

IRFP250 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.26 MByte
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ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.17 MByte
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