类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 30.0 A |
封装 | TO-247 |
漏源极电阻 | 75.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 214 W |
零部件系列 | IRFP250N |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200V (min) |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
上升时间 | 43 ns |
输入电容值(Ciss) | 2159pF @25V(Vds) |
下降时间 | 33 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 214000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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