类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 94.0 A |
封装 | TO-247 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 580 W |
零部件系列 | IRFP90N20D |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 94.0 A |
上升时间 | 160 ns |
输入电容值(Ciss) | 6040pF @25V(Vds) |
下降时间 | 79 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 580000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFP90N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 200 V, 23 mohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP90N20DPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 94A, TO-247AC 新
International Rectifier(国际整流器)
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.023ohm ,ID = 94A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=94A)
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