| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 94.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 23 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 580 W |
| 零部件系列 | IRFP90N20D |
| 阈值电压 | 5 V |
| 输入电容 | 6040pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 94.0 A |
| 上升时间 | 160 ns |
| 热阻 | 0.26℃/W (RθJC) |
| 输入电容值(Ciss) | 6040pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 580 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 15.87 mm |
| 高度 | 20.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFP90N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 200 V, 23 mohm, 10 V, 5 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP90N20DPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 94A, TO-247AC 新
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.023ohm ，ID = 94A ） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=94A)
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