| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16A |
| 上升时间 | 57 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3500pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 280000 mW |
VISHAY（威世）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 0.40ohm ，ID = 16A） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFPC60PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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