| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
| 漏源极电阻 | 385 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -700 mA to 700 mA |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V/-20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V/12V 最大漏极电流IdDrain Current| 660mA/-410mA 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 630mΩ@ VGS =2.5V, ID =400mA/1.8Ω@ VGS =-2.5V, ID =-250mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.6V/-0.6V 耗散功率PdPower Dissipation| 270mW/0.27W Description & Applications| Complementary 2.5-V (G-S) MOSFET 描述与应用| 互补2.5-V（G-S）的MOSFET
VISHAY（威世）
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双 N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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互补的2.5 -V （G -S ）的MOSFET Complementary 2.5-V (G-S) MOSFET
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