| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-3 |
| 功耗 | 280W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 输入电容值(Ciss) | 3500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 280 W |
| 耗散功率(Max) | 280W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 0.40ohm ，ID = 16A） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFPC60PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
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