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IRFSL11N50A 数据手册 - Vishay Siliconix
制造商:
Vishay Siliconix
分类:
MOS管
封装:
TO-262-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRFSL11N50A 数据手册
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IRFSL11N50A 数据手册 (10 页)
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IRFSL11N50A 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
500 V
额定电流
11.0 A
封装
TO-262-3
功耗
190W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
34.0 ns
输入电容值(Ciss)
1426pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
190W (Tc)
IRFSL11N50A 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
IRFSL11N50A 符合标准
IRFSL11N50A 数据手册
IRFSL11N50A
其他数据使用手册
Vishay Siliconix
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