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STGB14NC60KT4
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STGB14NC60KT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
描述:N沟道14A - 600V -DPAK - D2PAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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STGB14NC60KT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流14.0 A
封装TO-263-3
极性N-Channel
功耗80000 mW
栅电荷34.4 nC
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)25.0 A
上升时间8.50 ns
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)80 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)80000 mW
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STGB14NC60KT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
高度4.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGB14NC60KT4 数据手册

STGB14NC60KT4 数据手册
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