类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 16.0 A |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 60.0 W |
零部件系列 | IRG4BC20KD |
上升时间 | 34.0 ns |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 37 ns |
额定功率(Max) | 60 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4BC20KDPBF 单晶体管, IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4BC20UDPBF 单晶体管, IGBT, 13 A, 2.4 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4BC20FDPBF 单晶体管, IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 高达 20A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4BC20UPBF 单晶体管, IGBT, 13 A, 2.4 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4BC20FPBF 单晶体管, IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件