类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 100 W |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 100 W |
上升时间 | 42.0 ns |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
热阻 | 1.2℃/W (RθJC) |
反向恢复时间 | 42 ns |
额定功率(Max) | 100 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 100000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.54 mm |
宽度 | 4.69 mm |
高度 | 8.77 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Co-Pack IGBT 高达 20A,Infineon
●Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。
●IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置
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IRF
绝缘栅双极晶体管( VCES = 600V ,的VCE(on )典型值= 1.59V , @ VGE = 15V , IC = 17A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
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INFINEON IRG4BC30KDPBF 单晶体管, IGBT, 28 A, 2.21 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30UDPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30FPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30FDPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30SPBF 单晶体管, IGBT, 34 A, 1.6 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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Co-Pack IGBT 高达 20A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
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INFINEON IRG4BC30FD-SPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30WPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
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INFINEON IRG4BC30UPBF 晶体管, 单路, IGBT, 600V, 23A 新
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