| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 60 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 上升时间 | 26.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 热阻 | 2.1℃/W (RθJC) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
单 IGBT 高达 20A，Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4BH20K-SPBF 单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4BH20K-LPBF 晶体管, IGBT, TO-220AB, 11A, 1200V
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