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IRG4BC20FDPBF
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IRG4BC20FDPBF 数据手册 (11 页)
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IRG4BC20FDPBF 技术参数、封装参数

IRG4BC20FDPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRG4BC20FDPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
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IRG4BC20 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC20KDPBF  单晶体管, IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC20UDPBF  单晶体管, IGBT, 13 A, 2.4 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC20FDPBF  单晶体管, IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 高达 20A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC20UPBF  单晶体管, IGBT, 13 A, 2.4 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRG4BC20FPBF  单晶体管, IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
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