类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 200 W |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 W |
输入电容 | 3600 pF |
上升时间 | 29.0 ns |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
热阻 | 40 ℃/W |
额定功率(Max) | 200 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.9 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 20.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
单 IGBT 超过 21A,Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT
●### IGBT 晶体管,International Rectifier
●International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 2.78V , @ VGE = 15V , IC = 24A ) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
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INFINEON IRG4PH50UPBF 单晶体管, IGBT, 45 A, 3.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PH50KPBF 单晶体管, IGBT, 45 A, 3.28 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,Vce=1200V,Ic=57A,Vce(on)=1.47V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH50KDPBF 晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 45A 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH50UDPBF 晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 45A 新
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