| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | Super-247-3 |
| 额定功率 | 350 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 W |
| 上升时间 | 77.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 反向恢复时间 | 110 ns |
| 额定功率(Max) | 350 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.1 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 20.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon
●Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。
●IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置
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IRF
绝缘栅双极晶体管（ VCES = 1200V ，的VCE（on ）典型值= 2.97V ， @ VGE = 15V ， IC = 42A ） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
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Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4PSH71KDPBF 单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
International Rectifier（国际整流器）
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INFINEON IRG4PSH71KPBF 单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
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