IRG4PC30FDPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

绝缘栅双极晶体管（ VCES = 600V ，的VCE（on ）典型值= 1.59V ， @ VGE = 15V ， IC = 17A） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

INFINEON  IRG4PC30UDPBF  单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

INFINEON  IRG4PC30FDPBF  单晶体管, IGBT, 快速CoPACK, N通道, 31 A, 1.99 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚 新

INFINEON  IRG4PC30KDPBF  单晶体管, IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

IGBT 高达 20A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

TO-247AC

INFINEON  IRG4PC30UPBF  单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

N沟道，Vce=600V，Ic=31A，Vce(on)=1.59V

IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。