类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 200 W |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 W |
上升时间 | 52.0 ns |
击穿电压(集电极-发射极) | 900 V |
反向恢复时间 | 90 ns |
额定功率(Max) | 200 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.9 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 20.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Co-Pack IGBT 超过 21A,Infineon
●Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。
●IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置
●### IGBT 晶体管,International Rectifier
●International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PF50WPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PF50WDPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PF50WDPBF 晶体管, 单路, IGBT, 900V, 51A 新
International Rectifier(国际整流器)
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IRF
绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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