| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 200 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 输入电容 | 3300 pF |
| 上升时间 | 26.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 900 V |
| 热阻 | 40 ℃/W |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.9 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 20.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
单 IGBT 超过 21A，Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT
●### IGBT 晶体管，International Rectifier
●International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4PF50WPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4PF50WDPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PF50WDPBF 晶体管, 单路, IGBT, 900V, 51A 新
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
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IRF
绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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