类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 100 W |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 100 W |
上升时间 | 23.0 ns |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
额定功率(Max) | 100 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 100000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
长度 | 15.9 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 20.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
单 IGBT 高达 20A,Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能
●### IGBT 晶体管,International Rectifier
●International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
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IRF
超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 3.10V , @ VGE = 15V , IC = 10A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4PH30KPBF 单晶体管, IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IRG4PH30KDPBF 系列 1200 V 10 A N 沟道 超快 IGBT - TO-247AC
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH30KPBF 晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 20A 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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IRF
绝缘栅双极晶体管( VCES = 1200V ,的VCE(on )典型值= 3.10V , @ VGE = 15V , IC = 10A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
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