类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 14 A |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 38 W |
零部件系列 | IRG4RC10SD |
上升时间 | 31 ns |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 28 ns |
额定功率(Max) | 38 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Rail, Tube |
长度 | 6.73 mm |
高度 | 1.24 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
绝缘栅双极晶体管( VCES = 600V ,的VCE(on )典型值= 2.39V , @ VGE = 15V , IC = 5.0A ) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRG4RC10SDPBF 单晶体管, IGBT, 14 A, 1.7 V, 38 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4RC10SDPBF 晶体管, 单路, IGBT, 600V, 14A 新
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
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