| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 38 W |
| 功耗 | 38 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 28 ns |
| 额定功率(Max) | 38 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 38000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon
●Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。
●IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置
Infineon（英飞凌）
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IRF
绝缘栅双极晶体管（ VCES = 600V ，的VCE（on ）典型值= 2.39V ， @ VGE = 15V ， IC = 5.0A ） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4RC10SDPBF 单晶体管, IGBT, 14 A, 1.7 V, 38 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4RC10SDPBF 晶体管, 单路, IGBT, 600V, 14A 新
Infineon（英飞凌）
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
International Rectifier（国际整流器）
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