| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 370 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 370 W |
| 上升时间 | 28.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 370 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 370 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.66 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
单 IGBT 超过 21A，Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT
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INFINEON IRGB30B60KPBF 单晶体管, IGBT, 78 A, 2.35 V, 370 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
International Rectifier（国际整流器）
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绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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