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IRGP4063D1-EPBF
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IRGP4063D1-EPBF 数据手册 (12 页)
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IRGP4063D1-EPBF 技术参数、封装参数

IRGP4063D1-EPBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRGP4063D1-EPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 1.36 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
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IRGP4063D1 数据手册

Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon(英飞凌)
Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier IRGP4063D1-EPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 100 A, Vce=600 V, 30kHz, 3针 TO-247AD封装
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