| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 540mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.76A |
| 上升时间 | 8.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 75pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 540mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 30 V 760mA（Ta） Micro3™/SOT-23
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier（国际整流器）
P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V
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P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5103TR P沟道MOS场效应管 -760mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1D/D 快速开关
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML5103PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
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