类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-274-3 |
额定功率 | 595 W |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 595 W |
上升时间 | 25.0 ns |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
额定功率(Max) | 595 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 595000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.6 mm |
宽度 | 5 mm |
高度 | 20.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
单 IGBT 超过 21A,Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRGPS40B120UPBF 单晶体管, IGBT, 80 A, 3.5 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRGPS40B120UDP 单晶体管, IGBT, 80 A, 3.39 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
International Rectifier(国际整流器)
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绝缘栅双极晶体管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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