| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-274 |
| 额定功率 | 595 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 595 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 反向恢复时间 | 180 ns |
| 额定功率(Max) | 595 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 595 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.1 mm |
| 宽度 | 5.5 mm |
| 高度 | 20.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon
●Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。
●IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置
●### IGBT 晶体管，International Rectifier
●International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.13 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
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Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.12 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRGPS60B120KDP 单晶体管, IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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