| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0022 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 143 W |
| 阈值电压 | 2.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 164A |
| 上升时间 | 110 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5225pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 62 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 143W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon
●是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
●最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V
●适用于电池供电系统
●应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.52 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL40S212 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
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INFINEON IRL40B212 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
Infineon（英飞凌）
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRL40B215 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V 新
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 360 A, 40 V, 500 µohm, 10 V, 2.4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 478 A, 40 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.4 V
International Rectifier（国际整流器）
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