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IRL40B215
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IRL40B215 数据手册 (10 页)
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IRL40B215 技术参数、封装参数

IRL40B215 外形尺寸、物理参数、其它

IRL40B215 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRL40 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL40S212  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL40B212  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
Infineon(英飞凌)
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL40B215  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V 新
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 360 A, 40 V, 500 µohm, 10 V, 2.4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 478 A, 40 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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