| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.066 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 475pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not For New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.60 mm |
| 高度 | 0.85 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RTR040N03 N沟道MOSFET 30V 4A SOT-23/SC-59 marking/标记 QV 逻辑电平
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTR040N03FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
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2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
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